Technische Informationen

In den letzten Jahren hat sich das Niveau der Feinbearbeitung für die fortschrittlichen Halbleiterbauelemente in den Nanometerbereich gesteigert, und die Massenproduktion der 3Xnm-Generation mit ArF-Excimerlasern hat bereits begonnen. Andererseits wird auch die 2Xnm-Generation mit rapider Geschwindigkeit weiterentwickelt. Was die Säuregeneratoren und Polymere angeht, die für die fortschrittlichen Photoresistmaterialien verwendet werden, ist aufgrund der Halbleiterverfeinerung bis in den Nanometerbereich eine recht hohe Qualität erforderlich.