Technische Informationen

In den letzten Jahren hat sich das Niveau der Feinbearbeitung für die fortschrittlichen Halbleiterbauelemente in den Nanometerbereich gesteigert, und die Massenproduktion der 3Xnm-Generation mit ArF-Excimerlasern hat bereits begonnen. Andererseits wird auch die 2Xnm-Generation mit rapider Geschwindigkeit weiterentwickelt. Was die Säuregeneratoren und Polymere angeht, die für die fortschrittlichen Photoresistmaterialien verwendet werden, ist aufgrund der Halbleiterverfeinerung bis in den Nanometerbereich eine recht hohe Qualität erforderlich.
Durch Nutzung der seit Jahren angehäuften Entwicklungs-, Fertigungs- und Analysetechnik von Photoresistmaterialien können wir Säuregeneratoren und Polymere in hoher Qualität liefern. Darüber hinaus haben wir als Gesamtunternehmen erst kürzlich das Qualitätssicherungssystem vollständig überdacht, um den hohen Anforderungen der Kunden gerecht zu werden. So führten wir ein durchgängiges Verfahren zur Qualitätskontrolle und Statistikverwaltung von den Materialien bis zum fertigen Produkt ein. Die Entwicklung fortschrittlicher Analysetechnologien ermöglichte es uns, den Gehalt an Spurenmetallen im einstelligen ppb-Bereich zu messen.