近年、半導体の最先端デバイスは微細加工のレベルがナノ領域へと進み、すでにArFエキシマレーザーによる3Xnm世代の量産化が始まっています。また、その一方では、2Xnm世代の開発が急ピッチで進められております。このような最先端のフォトレジスト材料に使用される酸発生剤やポリマーの品質は、半導体のナノ領域への微細化に伴い、極めて高度な品質レベルが要求されます。
近年、半導体の最先端デバイスは微細加工のレベルがナノ領域へと進み、すでにArFエキシマレーザーによる3Xnm世代の量産化が始まっています。また、その一方では、2Xnm世代の開発が急ピッチで進められております。このような最先端のフォトレジスト材料に使用される酸発生剤やポリマーの品質は、半導体のナノ領域への微細化に伴い、極めて高度な品質レベルが要求されます。