近年、半導体の最先端デバイスは微細加工のレベルがナノ領域へと進み、すでにArFエキシマレーザーによる3Xnm世代の量産化が始まっています。また、その一方では、2Xnm世代の開発が急ピッチで進められております。このような最先端のフォトレジスト材料に使用される酸発生剤やポリマーの品質は、半導体のナノ領域への微細化に伴い、極めて高度な品質レベルが要求されます。

当社は長年にわたって培ってきたフォトレジスト材料の開発/製造技術/分析技術やノウハウを活用し、多様な光酸発生剤フォトレジスト用ポリマーを安定的に提供しております。また、近年ではお客様の高度な品質要望に応えるべく、全社的に品質保証システムの見直しを行い、原料から製品までの一貫した品質管理と統計管理手法を導入しております。さらに一歩進んだ分析技術を開発する事により、一桁ppbオーダーでの金属管理を実現しております。

富士フイルム和光純薬のフォトレジスト材料

当社は1987年にKrF用フォトレジスト用酸発生剤、ポリマーを開発して以来、それぞれWPAGシリーズMWPシリーズとして上市しており、KrF/ArF用フォトレジストなどの様々な用途でご使用いただいております。

生産設備

当社の光酸発生剤やフォトレジスト用ポリマーは、一桁ppbオーダーでの金属管理が可能な最新鋭の愛知工場で生産しています。少量スケールから大量生産まで、お客様のご要望に沿ってスピーディーに製造・お届けできます。

当社では、光酸発生剤やフォトレジスト用ポリマーなど、様々なレジスト関連材料の受託合成・製造を承っております。詳細につきましては、下記リンク先をご覧ください。